Воронежский государственный университет (ВГУ) выиграл грант в 100 млн рублей на создание лаборатории нитрид-галлиевой и кремниевой электроники. Подтверждающий это протокол появился в пятницу, 11 августа.
Площадку вуз будет развивать совместно с АО «НИИЭТ», которое планирует нарастить производство микросхем и нитрид-галлиевых транзисторов до 10 млн в год.
Ожидается, что новая инфраструктура даст возможность создавать базовые станции сотовой связи 5G (6G – в перспективе), системы обнаружения и распознавания объектов (лидары), приложения для автономного электротранспорта и многое другое. Такие технологии востребованы в медицине, робототехнике, сфере безопасности и во многих других отраслях.
На лабораторию возлагают большие надежды: она должна помочь обеспечить отечественный рынок электроникой на 70% к 2030 году.
По словам руководителя лаборатории, завкафедрой физики твердого тела и наноструктур физфака ВГУ Павла Середина, электроника, которая базировалась на кремниевых технологиях, дошла до предела развития. Следующий шаг – «Нитрид галлия» (GaN). Новый материал меньше, быстрее, дешевле, можно сказать, во всем лучше. Ученый предполагает, что уже в 2030 году может начаться эра нитрида галлия.
Петр Соболев